Обґрунтування способу підвищення стійкості зсувонебезпечних ґрунтових схилів в умовах міської забудови
Resumen
Цель работы – обоснование геомеханических параметров способа инъекционной стабилизации оползнеопасных грунтовых структур.
Основная идея работы состоит в учете закономерностей изменения деформационных характеристик зоны скольжения при разработке геомеханической модели и обеспечении стабилизации оползневого массива способом цементации грунтов.
Объект исследований – напряженно-деформированное состояние оползневых грунтов.
Предмет исследований – физико-механические свойства грунтов и распределение касательных напряжений в зоне скольжения и в оползневом теле.
Методы исследований. Методическую основу исследований составляет комплексный подход, который включает в себя анализ и обобщение литературных данных по теме работы, аналитические исследования, выполненные с целью обоснования геомеханической модели оползнеопасного склона и геомеханических параметров инъекционного закрепления оползнеопасных грунтовых структур.
По результатам исследований установлена зависимость:
– инъекция оползневого грунта, осуществляемая в области равенства сдвигающих и удерживающих сил, приводит к увеличению касательных напряжений в 2…2,5 раза на начальном участке зоны продольного сдвига оползня и к затуханию напряжений в языковой части при увеличении коэффициента устойчивости в 1,2…1,3 раза, что позволяет определить рациональный участок закрепления оползневого грунта.
Научная новизна полученных результатов:
– впервые установлена закономерность распределения касательных напряжений в зоне скольжения и в оползневом теле до и после инъекционного закрепления грунта в буферной области;
Практическое значение полученных результатов:
– разработана расчетно-исследовательская модель, которая может быть использована для определения зон, опасных по величине касательных напряжений и для обоснования параметров инъекционного закрепления оползневых грунтов;
– обоснованы геомеханические параметры способа инъекционного закрепления оползнеопасных грунтовых структур.