Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ir.nmu.org.ua/handle/123456789/156240
Назва: Підвищення ефективності фотоелектричних перетворювачів на основі монокристалічного кремнію
Інші назви: Improving efficiency photovoltaic cells based monocrystalline silicon
Автори: Вамболь, С. О. 
Сичікова,  Я. О. 
Дейнеко,  Н. В. 
Ключові слова: фотоелектричний перетворювач;монокристалічний кремній;електрохімічне травлення;пористий шар;a photoelectric converter;monocrystalline silicon;electrochemical etching;porous layer
Дата публікації: 2016
Видавництво: Видавництво НГУ
Бібліографічний опис: Вамболь С.О. Підвищення ефективності фотоелектричних перетворювачів на основі монокристалічного кремнію / С. О. Вамболь , Я. О. Сичікова , Н. В. Дейнеко // Современные инновационные технологии подготовки инженерных кадров для горной промышленности и транспорта 2016 : сб. науч. тр. международной. конф., г. Днепропетровск, 26‐27 мая 2016 г.. – Днепропетровск : НГУ, 2016. – С. 96-101.
Короткий огляд (реферат): В роботі наведено результати досліджень з розробки технологічного рішення щодо обробки фронтальної поверхні кремнієвих фотоперетворювачів шляхом електрохімічного травлення з подальшим відпалом у потоці азоту для підвищення ефективності ФЕП на основі монокристалічного кремнію.
The paper presents the results of research to develop technological solutions for handling the front surface of silicon solar cells by electrochemical etching followed by annealing in nitrogen flow to improve the efficiency of solar cells based on monocrystalline silicon.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ir.nmu.org.ua/handle/123456789/156240
Розташовується у зібраннях: Современные инновационные технологии   подготовки инженерных кадров   для горной промышленности и транспорта 2016, г. Днепропетровск, 26‐27 мая : сб. науч. тр. междунар. конф.

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
96-101.pdf557,61 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.