Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ir.nmu.org.ua/handle/123456789/163857
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorТкач, В. А.-
dc.contributor.authorХижун, О. Ю.-
dc.date.accessioned2023-06-29T11:33:40Z-
dc.date.available2023-06-29T11:33:40Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationТкач В. А. Electronic structure of Tl 2 CdSnSe 4 compound studied by XPS Method / Ткач В. А., Хижун О. Ю. // «Наукова весна» 2023 : матеріали 13-ої Всеукраїнської наук.-техн. конф. студ., аспірантів та молодих вчених, Дніпро, 1-3 березня 2023 року– Дніпро : НТУ «ДП», 2023. – С. 400-401uk_UA
dc.identifier.urihttp://ir.nmu.org.ua/handle/123456789/163857-
dc.description.abstractQuaternary chalcogenide semiconductors with general chemical composition I 2 –II–IV– Q 4 (I – Cu, Ag; II–Zn, Cd, Hg; IV–Si, Ge, Sn; Q–S, Se, Te) became a point of great interest of many material scientists due to their great combination of physical and chemical properties. Band gap width, p-type conductivity, thermoelectrical and optical properties make these compounds as promising materials for solar energy conversion applications or nonlinear optic devices.uk_UA
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherНТУ ДПuk_UA
dc.titleElectronic structure of Tl 2 CdSnSe 4 compound studied by XPS Methoduk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dc.identifier.udk538.915uk_UA
Розташовується у зібраннях:Секція «Матеріалознавство та технічна естестика»

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Наукова_весна_2023-400-401.pdf404,51 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.