Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://ir.nmu.org.ua/handle/123456789/163857
Назва: | Electronic structure of Tl 2 CdSnSe 4 compound studied by XPS Method |
Автори: | Ткач, В. А. Хижун, О. Ю. |
Дата публікації: | 2023 |
Видавництво: | НТУ ДП |
Бібліографічний опис: | Ткач В. А. Electronic structure of Tl 2 CdSnSe 4 compound studied by XPS Method / Ткач В. А., Хижун О. Ю. // «Наукова весна» 2023 : матеріали 13-ої Всеукраїнської наук.-техн. конф. студ., аспірантів та молодих вчених, Дніпро, 1-3 березня 2023 року– Дніпро : НТУ «ДП», 2023. – С. 400-401 |
Короткий огляд (реферат): | Quaternary chalcogenide semiconductors with general chemical composition I 2 –II–IV– Q 4 (I – Cu, Ag; II–Zn, Cd, Hg; IV–Si, Ge, Sn; Q–S, Se, Te) became a point of great interest of many material scientists due to their great combination of physical and chemical properties. Band gap width, p-type conductivity, thermoelectrical and optical properties make these compounds as promising materials for solar energy conversion applications or nonlinear optic devices. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ir.nmu.org.ua/handle/123456789/163857 |
Розташовується у зібраннях: | Секція «Матеріалознавство та технічна естестика» |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Наукова_весна_2023-400-401.pdf | 404,51 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.