Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ir.nmu.org.ua/handle/123456789/163857
Назва: Electronic structure of Tl 2 CdSnSe 4 compound studied by XPS Method
Автори: Ткач, В. А.
Хижун, О. Ю.
Дата публікації: 2023
Видавництво: НТУ ДП
Бібліографічний опис: Ткач В. А. Electronic structure of Tl 2 CdSnSe 4 compound studied by XPS Method / Ткач В. А., Хижун О. Ю. // «Наукова весна» 2023 : матеріали 13-ої Всеукраїнської наук.-техн. конф. студ., аспірантів та молодих вчених, Дніпро, 1-3 березня 2023 року– Дніпро : НТУ «ДП», 2023. – С. 400-401
Короткий огляд (реферат): Quaternary chalcogenide semiconductors with general chemical composition I 2 –II–IV– Q 4 (I – Cu, Ag; II–Zn, Cd, Hg; IV–Si, Ge, Sn; Q–S, Se, Te) became a point of great interest of many material scientists due to their great combination of physical and chemical properties. Band gap width, p-type conductivity, thermoelectrical and optical properties make these compounds as promising materials for solar energy conversion applications or nonlinear optic devices.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ir.nmu.org.ua/handle/123456789/163857
Розташовується у зібраннях:Секція «Матеріалознавство та технічна естестика»

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Наукова_весна_2023-400-401.pdf404,51 kBAdobe PDFЕскіз
Переглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.